来源：全球半导体观察    原作者：竹子    2024-10-10

2024年的碳化硅市场犹如一条汹涌的大河，全球各大厂家倾泻而下、奔涌向前。我们可以看到全球各大厂在过去几年中投资布局的8英寸碳化硅生产线已逐步进入落地阶段，包括英飞凌在马来西亚建设的居林新厂，安森美在韩国富川规划的生产设施，三安在重庆投资的碳化硅项目等等。聚焦我国，则以碳化硅产业链中的8英寸衬底材料发展为甚，近两年许多企业8英寸衬底技术陆续突破。

总体而言，8英寸碳化硅时代的脚步已无比临近，本文将对全球碳化硅芯片厂以及我国碳化硅产业链企业进行盘点，进一步廓清碳化硅产业未来发展趋势。

全球布局：新建14座8英寸碳化硅厂

在全球碳化硅市场中，意法半导体（ST）、安森美（Onsemi）、英飞凌（Infineon）、Wolfspeed罗姆（ROHM）、博世（BOSCH）、富士电机（Fuji Electric）、三菱电机、世界先进和汉磊、士兰微、芯联集成企业纷纷宣布建设自己的8英寸碳化硅芯片厂，如下图所示。上述厂商中的多家企业不仅在芯片厂布局完善，在上游衬底和外延等材料端也布局完善。

图片来源：TrendForce集邦咨询

中国碳化硅产业链发展情况几何？

据全球半导体观察不完全统计，我国近年来有超100家企业在碳化硅领域进行布局，其中2024年就有超50个碳化硅项目迎来最新进展。如下图所示，涉及的企业包括三安半导体、天科合达、重投天科、天岳先进、晶盛机电、同光股份、东尼电子、科友半导体等等。其中合盛新材多家企业在8英寸衬底、外延、晶体生长以及设备等多领域的突破值得关注。

衬底方面，国外多家大厂已与我国天科合达、天岳先进等企业签订了长期供货协议。多方行业人士表示，中国的碳化硅企业特别是在衬底制备领域，国内衬底企业的6英寸以及8英寸产品，无论是从产品的质量、产能还是价格，都已经具备了明显的竞争力。预计未来几年，国内头部衬底企业将成为国际市场8英寸衬底的主要供应商，市场占比远超目前的6英寸。

今年以为我国碳化硅衬底市场动态频频， 9月10日宁波合盛新材宣布其8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通，产品在微管密度、电阻率等关键性能指标上表现优异；9月2日天岳先进表示，在8英寸碳化硅衬底上，公司率先实现了自主扩径，完成从8英寸导电型衬底制备到产业化的快速布局；科友半导体近期则表示，该公司的8英寸碳化硅长晶良率达到60%左右，8英寸碳化硅衬底加工产线于2023年底调试完毕后，正陆续提升产能；世纪金芯表示，8英寸碳化硅衬底片已与多家国内外客户完成多批次产品验证，预计2024年下半年落成订单；今年4月11日青禾晶元官方宣布，在国内率先成功制备了8英寸碳化硅键合衬底。

而在碳化硅外延领域，天域半导体也在加码扩产，据悉其总部和生产制造中心项目一期即将试产，产能为17万片/年。另外近期官方也披露了天域半导体的8英寸碳化硅外延工艺技术研发及产业化能力提升项目；此外，5月13日，希科半导体宣布，公司成功实现了国产8英寸碳化硅衬底上同质外延生长，正式具备8英寸SiC外延片量产能力；瀚天天成也在今年5月宣布，公司完成了具有自主知识产权的8英寸碳化硅外延工艺的技术开发，瀚天天成正式具备了国产8英寸碳化硅外延晶片量产能力；今年4月，南京百识电子宣布正式具备国产8英寸碳化硅外延晶片量产能力…

而在碳化硅设备领域，近日中国电科48所表示，其自主研发的8英寸碳化硅外延设备已实现关键技术突破，通过改进激光视觉定位、晶圆自纠偏等技术，设备自动化性能更加成熟，提升了产品生产效率；广州三义激光生产的首批6 & 8英寸碳化硅激光滚圆设备顺利完成生产并正式交付客户，提高了生产效率和产品良率；今年8月纳设智能也成功研制出更大尺寸具有更多创新技术的8英寸碳化硅外延设备；晶升股份首批8英寸碳化硅长晶设备已于今年7月在重庆完成交付；早在去年6月，晶盛机电就成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备；此外，我国半导体设备龙头企业北方华创，面向8英寸衬底和外延制造已有相应的设备产品下线… 

总体而言，我国碳化硅产业近年来发展迅速，市场规模不断扩大，其中在上游碳化硅衬底制备技术方面取得了显著进展，不断缩小与国际先进水平的差距，而在中游器件和模块制造环节与国际大厂还存在较大差距。

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