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探针台-CP测试
实验室配备先进的探针台和JUNO DTS1000测试仪器, 可提供功率器件6寸、8寸晶圆研发和量产的产品全面的电性能测试,得到成品率和各个参数maping分布, 失效bin分组和分布情况。有效的辅助芯片开发阶段的工艺窗口分析,在海外代工的没有CP测试的晶圆产品量产阶段,可以进行全测和抽测,避免造成晶圆不良品送封的损失。
HR-1680 高温反偏老化试验系统
可靠性实验室依据行业国际标准建立,具有完备的实验能力,可进行电子产品的可靠性寿命加速试验。可靠性测试测试,在芯片研发阶段至关重要,一个设计优良的产品的工艺窗口比较大,在各种工艺参数公差范围内都可以有较高的可靠性,所以可靠性测试在芯片研发MPW阶段,可以作为挑选芯片设计参考测试项。在量产阶段也根据不同的质量要求,进行可靠性抽样检验。
检测项目 | 覆盖产品 | 检测能力 | 参考标准 |
高温反偏测试 (HTRB、HTGB) | MOSGET TMBS二极管三极管桥堆 | 电 源 :300V/2A 600V/2A 60V/15A; 电 流测试量程;0.1uA至 100mA;温度范围: <200℃ | 美军标国标IEC |
分立器件测试系统JUNO DTS-1000
JUNO DTS-1000系统测试机通过与分选机组合,可实现对半导体分立器件成品如晶体管场效应管(MOSFET)和二极管
(Diode)的高速测试与分选,实现成品100%全测,保证成品性能的一致性和稳定性。
TEK370A 泰克晶体管图示仪
晶体管特性图示仪是一种可直接在荧光屏上显示晶体管特性曲线的专用仪器。它可用来准确测定MOSFET的IGSS、IDSS漏电流(精度可达到1nA)、阈值电压Vth 等直流参数,及扫描耐压IV Curve等。还可用来测定Diode瞬态正向压降VF、漏电流IR等。实现研发产品性能参数的准确, 加快产品研发进程。
B1506A 安捷伦功率器件分析仪
B1506A 功率器件分析仪/曲线追踪仪是完整的功率电路设计解决方案,可以在不同工作条件下评测所有的功率器件参数。它可以实现在MOSFET的IV参数, C-V Curve、栅极电荷和功率损耗的测量。可以较快速并准确的评估MOSFET的直流、交流参数,实现产品参数快速定义。